ALD-Planetensuszeptor

ALD-Prozess bedeutet Atomic Layer Epitaxy-Prozess. Vetek Semiconductor und ALD-Systemhersteller haben SiC-beschichtete ALD-Planetensuszeptoren entwickelt und produziert, die die hohen Anforderungen des ALD-Prozesses erfüllen, um den Luftstrom gleichmäßig über das Substrat zu verteilen. Gleichzeitig sorgt die hochreine CVD-SiC-Beschichtung von Vetek Semiconductor für Reinheit im Prozess. Willkommen, um die Zusammenarbeit mit uns zu besprechen.

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Produktbeschreibung

Als professioneller Hersteller möchte Vetek Semiconductor Ihnen SiC-beschichtete ALD-Planetensuszeptoren anbieten.

Der ALD-Prozess, bekannt als Atomic Layer Epitaxy, gilt als Gipfel der Präzision in der Dünnschicht-Abscheidungstechnologie. Vetek Semiconductor hat in Zusammenarbeit mit führenden ALD-Systemherstellern Pionierarbeit bei der Entwicklung und Herstellung hochmoderner SiC-beschichteter ALD-Planetensuszeptoren geleistet. Diese innovativen Suszeptoren wurden sorgfältig entwickelt, um die strengen Anforderungen des ALD-Prozesses zu übertreffen und eine gleichmäßige Verteilung des Luftstroms über das Substrat mit beispielloser Genauigkeit und Effizienz zu gewährleisten.

Darüber hinaus wird das Engagement von Vetek Semiconductor für Spitzenleistungen durch die Verwendung hochreiner CVD-SiC-Beschichtungen verkörpert, die einen Reinheitsgrad garantieren, der für den Erfolg jedes Abscheidungszyklus entscheidend ist. Dieses Engagement für Qualität erhöht nicht nur die Prozesszuverlässigkeit, sondern erhöht auch die Gesamtleistung und Reproduzierbarkeit von ALD-Prozessen in verschiedenen Anwendungen.

Vorteile der ALD-Technologie im Überblick:

Präzise Dickenkontrolle: Erzielen Sie Filmdicken im Subnanometerbereich mit hervorragender Wiederholbarkeit durch die Steuerung der Abscheidungszyklen.

Oberflächenglätte: Perfekte 3D-Konformität und 100 % Stufenabdeckung sorgen für glatte Beschichtungen, die der Substratkrümmung vollständig folgen.

Breite Anwendbarkeit: Auf verschiedene Objekte aufschichtbar, von Wafern bis hin zu Pulvern, geeignet für empfindliche Substrate.

Anpassbare Materialeigenschaften: Einfache Anpassung der Materialeigenschaften für Oxide, Nitride, Metalle usw.

Breites Prozessfenster: Unempfindlich gegenüber Temperatur- oder Vorläuferschwankungen, förderlich für die Chargenproduktion mit perfekter Gleichmäßigkeit der Beschichtungsdicke.

Wir laden Sie herzlich ein, mit uns in den Dialog zu treten und mögliche Kooperationen und Partnerschaften auszuloten. Gemeinsam können wir neue Möglichkeiten erschließen und Innovationen im Bereich der Dünnschicht-Depositionstechnologie vorantreiben.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1