ALD-Suszeptor mit SiC-Beschichtung

VeTek SemiconductorALD-Suszeptor mit SiC-Beschichtungspielt eine entscheidende Rolle bei der Atomlagenabscheidung (ALD) Verfahren. Seine präzise Temperaturregelung, gleichmäßige Gasverteilung, hohe chemische Beständigkeit und hervorragende Wärmeleitfähigkeit gewährleisten die Gleichmäßigkeit und hohe Qualität des Filmabscheidungsprozesses. Wenn Sie mehr wissen möchten, können Sie uns sofort kontaktieren und wir werden Ihnen rechtzeitig antworten!

Präzise Temperaturregelung:

Der ALD-Suszeptor mit SiC-Beschichtung verfügt normalerweise über ein hochpräzises Temperaturkontrollsystem. Es ist in der Lage, während des gesamten Abscheidungsprozesses eine gleichmäßige Temperaturumgebung aufrechtzuerhalten, was für die Gewährleistung der Gleichmäßigkeit und Qualität des Films von entscheidender Bedeutung ist.

Gleichmäßige Gasverteilung:

Das optimierte Design des ALD-Suszeptors mit SiC-Beschichtung sorgt für eine gleichmäßige Gasverteilung während des ALD-Abscheidungsprozesses. Seine Struktur umfasst normalerweise mehrere rotierende oder bewegliche Teile, um eine gleichmäßige Abdeckung der gesamten Waferoberfläche mit reaktiven Gasen zu gewährleisten.

Hohe chemische Beständigkeit:

Da der ALD-Prozess eine Vielzahl chemischer Gase umfasst, besteht der ALD-Suszeptor mit SiC-Beschichtung normalerweise aus korrosionsbeständigen Materialien (wie Platin, Keramik oder hochreinem Quarz), um der Erosion chemischer Gase und dem Einfluss von Umgebungen mit hohen Temperaturen zu widerstehen.

Hervorragende Wärmeleitfähigkeit:

Um Wärme effektiv zu leiten und eine stabile Abscheidungstemperatur aufrechtzuerhalten, verwenden ALD-Suszeptoren mit SiC-Beschichtung normalerweise Materialien mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Dadurch werden lokale Überhitzungen und ungleichmäßige Ablagerungen vermieden.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Produktionshallen:

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie：