CVD-SiC-Beschichtungsring

Der CVD-SiC-Beschichtungsring ist einer der wichtigen Teile der Halbmondteile. Zusammen mit anderen Teilen bildet es die Reaktionskammer für das epitaktische SiC-Wachstum. VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant von CVD-SiC-Beschichtungsringen. Entsprechend den Designanforderungen des Kunden können wir den entsprechenden CVD-SiC-Beschichtungsring zum wettbewerbsfähigsten Preis anbieten. VeTek Semiconductor freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Es gibt viele kleine Teile in den Halbmondteilen, und der SiC-Beschichtungsring ist einer davon. Durch Auftragen einer SchichtCVD-SiC-BeschichtungAuf der Oberfläche eines hochreinen Graphitrings können wir durch das CVD-Verfahren einen CVD-SiC-Beschichtungsring erhalten. SiC-Beschichtungsringe mit SiC-Beschichtung haben hervorragende Eigenschaften wie hohe Temperaturbeständigkeit, ausgezeichnete mechanische Eigenschaften, chemische Stabilität, gute Wärmeleitfähigkeit, gute elektrische Isolierung und ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit. CVD-SiC-Beschichtungsring und SiC-BeschichtungBestatterzusammenarbeiten.

SiC coating ring and cooperating susceptor

SiC-Beschichtungsring und CoBestatter

Die Funktionen des CVD-SiC-Beschichtungsrings:

● Strömungsverteilung: Das geometrische Design des SiC-Beschichtungsrings trägt dazu bei, ein gleichmäßiges Gasströmungsfeld zu bilden, sodass das Reaktionsgas die Oberfläche des Substrats gleichmäßig bedecken kann, wodurch ein gleichmäßiges epitaktisches Wachstum gewährleistet wird.

● Wärmeaustausch und Temperaturgleichmäßigkeit: Der CVD-SiC-Beschichtungsring bietet eine gute Wärmeaustauschleistung und sorgt so für eine gleichmäßige Temperatur des CVD-SiC-Beschichtungsrings und des Substrats. Dadurch können durch Temperaturschwankungen verursachte Kristalldefekte vermieden werden.

● Schnittstellenblockierung: Der CVD-SiC-Beschichtungsring kann die Diffusion von Reaktanten bis zu einem gewissen Grad begrenzen, sodass diese in einem bestimmten Bereich reagieren und so das Wachstum hochwertiger SiC-Kristalle fördern.

● Unterstützungsfunktion: Der CVD-SiC-Beschichtungsring wird mit der darunter liegenden Scheibe kombiniert, um eine stabile Struktur zu bilden, um Verformungen bei hohen Temperaturen und Reaktionsumgebungen zu verhindern und die Gesamtstabilität der Reaktionskammer aufrechtzuerhalten.

VeTek Semiconductor ist stets bestrebt, seinen Kunden hochwertige CVD-SiC-Beschichtungsringe anzubieten und ihnen dabei zu helfen, Komplettlösungen zu wettbewerbsfähigsten Preisen anzubieten. Egal welche Art von CVD-SiC-Beschichtungsring Sie benötigen, wenden Sie sich bitte an VeTek Semiconductor!

REM-DATEN DER CVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg^-1·K^-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m^-1·K^-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10^-6K^-1