VeTek Semiconductor bietet maßgeschneiderte hochreine SiC-Wafer-Bootsträger an. Es besteht aus hochreinem Siliziumkarbid und verfügt über Schlitze, die den Wafer an Ort und Stelle halten und verhindern, dass er während der Verarbeitung verrutscht. Bei Bedarf ist auch eine CVD-SiC-Beschichtung erhältlich. Als professioneller und starker Halbleiterhersteller und -lieferant ist der hochreine SiC-Wafer-Bootsträger von VeTek Semiconductor preislich wettbewerbsfähig und von hoher Qualität. VeTek Semiconductor freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.
Der Wafer-Bootsträger aus hochreinem SiC von VeTekSemi ist eine wichtige Lagerkomponente, die in Glühöfen, Diffusionsöfen und anderen Geräten im Halbleiterherstellungsprozess verwendet wird. Hochreiner SiC-Wafer-Bootsträger besteht normalerweise aus hochreinem Siliziumkarbidmaterial und umfasst hauptsächlich die folgenden Teile:
• Stützkörper für Boote: eine bügelähnliche Struktur, die speziell zum Tragen dientSiliziumwaferoder andere Halbleitermaterialien.
• Stützstruktur: Durch die Konstruktion der Stützstruktur kann es schwere Lasten bei hohen Temperaturen tragen und verformt oder beschädigt sich während der Hochtemperaturbehandlung nicht.
Siliziumkarbid-Material
Physikalische Eigenschaften vonRekristallisiertes Siliziumkarbid:
Eigentum
Typischer Wert
Arbeitstemperatur (°C)
1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung)
SiC-Gehalt
> 99,96 %
Kostenlose Si-Inhalte
< 0,1 %
Schüttdichte
2,60–2,70 g/cm3
Scheinbare Porosität
< 16 %
Kompressionsstärke
> 600 MPa
Kaltbiegefestigkeit
80-90 MPa (20°C)
Warmbiegefestigkeit
90–100 MPa (1400 °C)
Wärmeausdehnung bei 1500 °C
4,70*10-6/°C
Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C
23 W/m·K
Elastizitätsmodul
Elastizitätsmodul240 GPa
Thermoschockbeständigkeit
Extrem gut
Wenn die Anforderungen an den Produktionsprozess höher sind,CVD-SiC-Beschichtungkann auf dem hochreinen SiC-Wafer-Bootsträger durchgeführt werden, um eine Reinheit von mehr als 99,99995 % zu erreichen und so die Hochtemperaturbeständigkeit weiter zu verbessern.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung
2~10μm
Chemische Reinheit
99,99995 %
Wärmekapazität
640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur
2700℃
Biegefestigkeit
415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul
430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit
300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5×10-6K-1
Während der Hochtemperaturbehandlung ermöglicht der hochreine SiC-Wafer-Bootsträger eine gleichmäßige Erwärmung des Siliziumwafers, um lokale Überhitzung zu vermeiden. Darüber hinaus ermöglicht die hohe Temperaturbeständigkeit des Siliziumkarbidmaterials die Beibehaltung der strukturellen Stabilität bei Temperaturen von 1200 °C oder sogar höher.
Während des Diffusions- oder Glühprozesses arbeiten das Cantilever-Paddel und der hochreine SiC-Wafer-Bootsträger zusammen. Derfreitragendes Paddelschiebt den hochreinen SiC-Wafer-Bootsträger, der den Siliziumwafer trägt, langsam in die Ofenkammer und stoppt ihn an einer vorgesehenen Position für die Verarbeitung.
Der Wafer-Bootsträger aus hochreinem SiC hält den Kontakt mit dem Siliziumwafer aufrecht und wird während des Wärmebehandlungsprozesses in einer bestimmten Position fixiert, während das freitragende Paddel dabei hilft, die gesamte Struktur in der richtigen Position zu halten und gleichzeitig eine Temperaturgleichmäßigkeit zu gewährleisten.
Der hochreine SiC-Wafer-Bootsträger und das freitragende Paddel arbeiten zusammen, um die Genauigkeit und Stabilität des Hochtemperaturprozesses sicherzustellen.
VeTek Semiconductorbietet Ihnen maßgeschneiderte hochreine SiC-Wafer-Bootsträger entsprechend Ihren Anforderungen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.
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