Siliziumkarbid-Wafer-Boot
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Siliziumkarbid-Wafer-Boot

Das hochreine Siliziumkarbid-Waferboot von VeTek Semiconductor besteht aus extrem reinem Siliziumkarbidmaterial mit ausgezeichneter thermischer Stabilität, mechanischer Festigkeit und chemischer Beständigkeit. Hochreines Siliziumkarbid-Waferboot wird in Heißzonenanwendungen in der Halbleiterfertigung, insbesondere in Hochtemperaturumgebungen, eingesetzt und spielt eine wichtige Rolle beim Schutz von Wafern, beim Materialtransport und bei der Aufrechterhaltung stabiler Prozesse. VeTek Semiconductor wird weiterhin hart daran arbeiten, Innovationen zu entwickeln und die Leistung hochreiner Siliziumkarbid-Waferboote zu verbessern, um den sich entwickelnden Anforderungen der Halbleiterfertigung gerecht zu werden. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Als professioneller Hersteller möchte VeTek Semiconductor Ihnen hochwertige Siliziumkarbid-Waferboote anbieten.

Hervorragende thermische Leistung: Das hochreine Siliziumkarbid-Wafer-Boot von VeTek Semiconductor verfügt über eine hervorragende thermische Leistung, ist in Umgebungen mit hohen Temperaturen stabil und verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, sodass sie bei Temperaturen weit über der Umgebungstemperatur betrieben werden können. Dies macht hochreine Siliziumkarbid-Waferboote ideal für Hochleistungs- und Hochtemperatur-Ausdaueranwendungen.

Hervorragende Korrosionsbeständigkeit: Hochreines Siliziumkarbid-Waferboot ist ein wichtiges Werkzeug für die Halbleiterfertigung und weist eine hohe Beständigkeit gegen verschiedene Korrosionsmittel auf. Als zuverlässiger Träger widersteht es den Auswirkungen hoher Temperaturen und Korrosion in einer chemischen Umgebung und gewährleistet so die sichere und effektive Verarbeitung von Siliziumkarbid-Wafern. Als zuverlässiger Träger widersteht es den Auswirkungen hoher Temperaturen und Korrosion in einer chemischen Umgebung und gewährleistet so die sichere und effektive Verarbeitung von Siliziumkarbid-Wafern.

Maßhaltigkeit: Das hochreine Siliziumkarbid-Wafer-Boot schrumpft während des Sinterprozesses nicht, wodurch die Maßhaltigkeit erhalten bleibt und Restspannungen beseitigt werden, die zu Verformungen oder Rissen in den Teilen führen könnten. Dies ermöglicht die Herstellung komplex geformter Teile mit präzisen Abmessungen. Ob bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen oder in anderen Industriebereichen – hochreine Siliziumkarbid-Waferboote bieten eine zuverlässige Maßkontrolle, um sicherzustellen, dass die Teile den Spezifikationen entsprechen.

Als vielseitiges Werkzeug kann das hochreine Siliziumkarbid-Waferboot von VeTek Semiconductor für eine Vielzahl von Halbleiterfertigungstechnologien eingesetzt werden, darunter epitaktisches Wachstum und chemische Gasphasenabscheidung. Aufgrund seines langlebigen Designs und seiner nicht reaktiven Beschaffenheit eignet sich das hochreine Siliziumkarbid-Waferboot für eine Vielzahl von Verarbeitungschemikalien und stellt sicher, dass es sich problemlos an verschiedene Verarbeitungsumgebungen anpassen lässt.

In der Halbleiterfertigung sind epitaktisches Wachstum und chemische Gasphasenabscheidung gängige Prozessschritte zum Züchten hochwertiger Wafer und Dünnfilme. Eine wichtige Rolle spielt das hochreine SiC-Schiffchen als Träger, das dem Einfluss hoher Temperaturen und Chemikalien standhält und so präzise Wachstums- und Abscheidungsprozesse gewährleistet.

Zusätzlich zu seinem langlebigen Design ist das hochreine SiC-Boot auch nicht reaktiv. Dies bedeutet, dass es nicht nachteilig mit Verarbeitungschemikalien reagiert und so die Integrität und Leistung des Bootes erhält. Damit steht Halbleiterherstellern ein zuverlässiges Werkzeug zur Verfügung, um Konsistenz und Wiederholbarkeit im Produktionsprozess sicherzustellen.


Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid

Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid
Eigentum Typischer Wert
Arbeitstemperatur (°C) 1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung)
SiC-Gehalt > 99,96 %
Kostenlose Si-Inhalte < 0,1 %
Schüttdichte 2,60–2,70 g/cm3
Scheinbare Porosität < 16 %
Druckfestigkeit > 600 MPa
Kaltbiegefestigkeit 80-90 MPa (20°C)
Warmbiegefestigkeit 90–100 MPa (1400 °C)
Wärmeausdehnung bei 1500 °C 4,70 · 10-6/°C
Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C 23 W/m·K
Elastizitätsmodul 240 GPa
Wärmeschockbeständigkeit Extrem gut


VeTek Semiconductor Production Shop


Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:


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