Horizontaler SiC-Waferträger

VeTek SemiconductorHorizontaler SiC-Waferträger/Boot hat einen extrem hohen Schmelzpunkt (ca. 2700°C), der dies ermöglichtHorizontaler SiC-Waferträger/Boot für einen stabilen Betrieb in Hochtemperaturumgebungen ohne Verformung oder Beeinträchtigung. Dieses Merkmal ist besonders wichtig im Halbleiterherstellungsprozess, insbesondere bei Prozessen wie Hochtemperaturglühen oder chemischer Gasphasenabscheidung (CVD).

DerHorizontaler SiC-Waferträger/Boot spielt im Prozess des Transports von Waferträgern insbesondere die folgenden Rollen:

Tragen und Stützen von Siliziumwafern: Das horizontale SiC-Wafer-Boot wird hauptsächlich zum Transport und zur Unterstützung von Siliziumwafern während der Halbleiterherstellung verwendet. Es kann mehrere Siliziumwafer fest aneinander anordnen, um sicherzustellen, dass sie während des gesamten Verarbeitungsprozesses in guter Position und Stabilität bleiben.

Gleichmäßiges Heizen und Kühlen: Aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit von SiC kann das Wafer Boat die Wärme effektiv und gleichmäßig auf alle Siliziumwafer verteilen. Dies trägt dazu bei, eine gleichmäßige Erwärmung oder Abkühlung von Siliziumwafern während der Hochtemperaturverarbeitung zu erreichen und sorgt so für Konsistenz und Zuverlässigkeit des Verarbeitungsprozesses.

Kontamination verhindern: Die chemische Stabilität von SiC ermöglicht eine gute Leistung in Umgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Gasen, wodurch die Belastung von Siliziumwafern durch mögliche Verunreinigungen oder Reaktanten verringert wird und die Reinheit und Qualität von Siliziumwafern gewährleistet wird.

Tatsächlich kann das horizontale SiC-Wafer-Boot aufgrund seiner einzigartigen Produkteigenschaften die oben genannte Rolle spielen:

Ausgezeichnete chemische Stabilität: SiC-Material weist eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit gegenüber einer Vielzahl chemischer Medien auf. Bei der Verarbeitung korrosiver Gase oder Flüssigkeiten kann SiC Wafer Boat chemischer Korrosion wirksam widerstehen und Siliziumwafer vor Verunreinigungen oder Beschädigungen schützen.

Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC trägt dazu bei, die Wärme im Trägerprozess gleichmäßig zu verteilen und die Wärmeansammlung zu reduzieren. Dies kann die Genauigkeit der Temperaturregelung während der Präzisionsbearbeitung verbessern und eine gleichmäßige Erwärmung oder Kühlung von Siliziumwafern gewährleisten.

Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient: Der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient des SiC-Materials bedeutet, dass die Dimensionsänderung des SiC-Waferboots bei Temperaturänderungen sehr gering ist. Dies trägt dazu bei, die Dimensionsstabilität während der Hochtemperaturverarbeitung aufrechtzuerhalten und verhindert Verformungen oder Positionsverschiebungen von Siliziumwafern, die durch thermische Ausdehnung verursacht werden.

Grundlegende physikalische Eigenschaften des horizontalen SiC-Wafer-Trägers:

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Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie: