VeTek Semiconductor bietet leistungsstarke SiC-Prozessrohre für die Halbleiterfertigung. Unsere SiC-Prozessrohre zeichnen sich durch Oxidations- und Diffusionsprozesse aus. Mit höchster Qualität und Handwerkskunst bieten diese Rohre Hochtemperaturstabilität und Wärmeleitfähigkeit für eine effiziente Halbleiterverarbeitung. Wir bieten wettbewerbsfähige Preise und möchten Ihr langfristiger Partner in China sein.
VeTek Semiconductorist auch das führende Unternehmen in ChinaCVD-SiCUndTaCHersteller, Lieferant und Exporteur. Das Streben nach perfekter Produktqualität sorgt dafür, dass viele Kunden mit unseren SiC-Prozessrohren zufrieden sind.Extremes Design, hochwertige Rohstoffe, hohe Leistung und wettbewerbsfähiger Preiswünscht sich jeder Kunde und das können wir Ihnen auch bieten. Selbstverständlich gehört auch unser perfekter After-Sales-Service dazu. Wenn Sie an unseren Ersatzteilen für Halbleiterdienstleistungen interessiert sind, können Sie uns jetzt kontaktieren, wir werden Ihnen rechtzeitig antworten!
VeTek SemiconductorSiC Process Tube ist eine vielseitige Komponente, die häufig in der Halbleiter-, Photovoltaik- und mikroelektronischen Geräteherstellung eingesetzt wirdherausragende Eigenschaften wie Hochtemperaturstabilität, chemische Beständigkeit und hervorragende Wärmeleitfähigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einer bevorzugten Wahl für anspruchsvolle Hochtemperaturprozesse und gewährleisten eine gleichmäßige Wärmeverteilung und eine stabile chemische Umgebung, die die Fertigungseffizienz und Produktqualität erheblich verbessert.
Die SiC-Prozessröhre von VeTek Semiconductor ist allgemein für ihre außergewöhnliche Leistung bekanntWird bei Oxidation, Diffusion und Glühen verwendet, UndchemischAl-Aufdampfung(CVD) Prozessein der Halbleiterfertigung. Mit einem Fokus auf hervorragende Handwerkskunst und Produktqualität garantiert unser SiC-Prozessrohr eine effiziente und zuverlässige Halbleiterverarbeitung und nutzt die Hochtemperaturstabilität und Wärmeleitfähigkeit des SiC-Materials. Wir sind bestrebt, erstklassige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten und möchten Ihr vertrauenswürdiger, langfristiger Partner in China sein.
Wir sind die einzige SiC-Anlage in China mit einer Reinheit von 99,96 %, die direkt für den Waferkontakt genutzt und bereitgestellt werden kannCVD-Siliziumkarbid-Beschichtungum den Gehalt an Verunreinigungen zu reduzierenweniger als 5 ppm.
Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid | |
PSeilerty | Typischer Wert |
Arbeitstemperatur (°C) | 1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung) |
SiC-Gehalt | > 99,96 % |
Kostenlose Si-Inhalte | < 0,1 % |
Schüttdichte | 2,60–2,70 g/cm3 |
Scheinbare Porosität | < 16 % |
Kompressionsstärke | > 600 MPa |
Kaltbiegefestigkeit | 80~90 MPa (20°C) |
Warmbiegefestigkeit | 90~100 MPa (1400°C) |
Wärmeausdehnung bei 1500 °C | 4,70 10-6/°C |
Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C | 23 W/m·K |
Elastizitätsmodul | 240 GPa |
Thermoschockbeständigkeit | Extrem gut |