SiC-Prozessrohr

VeTek Semiconductor bietet leistungsstarke SiC-Prozessrohre für die Halbleiterfertigung. Unsere SiC-Prozessrohre zeichnen sich durch Oxidations- und Diffusionsprozesse aus. Mit höchster Qualität und Verarbeitung bieten diese Rohre Hochtemperaturstabilität und Wärmeleitfähigkeit für eine effiziente Halbleiterverarbeitung. Wir bieten wettbewerbsfähige Preise und möchten Ihr langfristiger Partner in China sein.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

VeTek Semiconductor ist ein führender chinesischer CVD-SiC- und TaC-Hersteller, Lieferant und Exporteur. Das Streben nach perfekter Produktqualität sorgt dafür, dass viele Kunden mit unseren SiC-Prozessrohren zufrieden sind. Extremes Design, hochwertige Rohstoffe, hohe Leistung und wettbewerbsfähige Preise sind das, was sich jeder Kunde wünscht, und das können wir Ihnen auch bieten. Selbstverständlich gehört auch unser perfekter After-Sales-Service dazu. Wenn Sie an unseren Ersatzteilen für Halbleiterdienstleistungen interessiert sind, können Sie uns jetzt kontaktieren, wir werden Ihnen rechtzeitig antworten!

VeTek Semiconductor SiC Process Tube ist eine vielseitige Komponente, die aufgrund ihrer herausragenden Eigenschaften wie Hochtemperaturstabilität, chemische Beständigkeit und hervorragende Wärmeleitfähigkeit häufig in der Herstellung von Halbleiter-, Photovoltaik- und mikroelektronischen Geräten eingesetzt wird. Diese Eigenschaften machen es zu einer bevorzugten Wahl für anspruchsvolle Hochtemperaturprozesse und gewährleisten eine gleichmäßige Wärmeverteilung und eine stabile chemische Umgebung, die die Fertigungseffizienz und Produktqualität erheblich verbessert.

Das SiC-Prozessrohr von VeTek Semiconductor ist für seine außergewöhnliche Leistung bekannt und wird häufig in Oxidations-, Diffusions-, Glüh- und chemischen Gasphasenabscheidungsprozessen (CVD) in der Halbleiterfertigung eingesetzt. Mit einem Fokus auf hervorragende Handwerkskunst und Produktqualität garantiert unser SiC-Prozessrohr eine effiziente und zuverlässige Halbleiterverarbeitung und nutzt die Hochtemperaturstabilität und Wärmeleitfähigkeit des SiC-Materials. Wir sind bestrebt, erstklassige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten und möchten Ihr vertrauenswürdiger, langfristiger Partner in China sein.

Wir sind die einzige SiC-Anlage in China mit einer Reinheit von 99,96 %, die direkt für den Waferkontakt verwendet werden kann und eine CVD-Siliziumkarbidbeschichtung bereitstellt, um den Verunreinigungsgehalt auf weniger als 5 ppm zu reduzieren.

Produktparameter des SiC-Prozessrohrs:

Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid
Eigentum	Typischer Wert
Arbeitstemperatur (°C)	1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung)
SiC-Gehalt	> 99,96 %
Kostenlose Si-Inhalte	< 0,1 %
Schüttdichte	2,60–2,70 g/cm3
Scheinbare Porosität	< 16 %
Druckfestigkeit	> 600 MPa
Kaltbiegefestigkeit	80-90 MPa (20°C)
Warmbiegefestigkeit	90–100 MPa (1400 °C)
Wärmeausdehnung bei 1500 °C	4,70 · 10-6/°C
Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C	23 W/m·K
Elastizitätsmodul	240 GPa
Wärmeschockbeständigkeit	Extrem gut