Der Siliziumsockel von VeTek Semiconductor ist eine Schlüsselkomponente bei Halbleiterdiffusions- und Oxidationsprozessen. Als spezielle Plattform für den Transport von Siliziumschiffchen in Hochtemperaturöfen bietet der Siliziumsockel viele einzigartige Vorteile, darunter eine verbesserte Temperaturgleichmäßigkeit, optimierte Waferqualität und eine verbesserte Leistung von Halbleiterbauelementen. Für weitere Produktinformationen können Sie uns gerne kontaktieren.
Der Siliciumsuszeptor von VeTek Semiconductor ist ein reines Siliciumprodukt, das die Temperaturstabilität im thermischen Reaktorrohr während der Siliciumwaferverarbeitung gewährleistet und dadurch die Wärmeisolationseffizienz verbessert. Die Verarbeitung von Siliziumwafern ist ein äußerst präziser Prozess, und die Temperatur spielt eine entscheidende Rolle, da sie sich direkt auf die Dicke und Gleichmäßigkeit des Siliziumwaferfilms auswirkt.
Der Siliziumsockel befindet sich im unteren Teil des thermischen Reaktorrohrs des Ofens und trägt das SiliziumWaferträgerund sorgt gleichzeitig für eine wirksame Wärmedämmung. Am Ende des Prozesses kühlt es zusammen mit dem Silizium-Wafer-Träger allmählich auf Umgebungstemperatur ab.
Sorgen Sie für eine stabile Unterstützung, um die Prozessgenauigkeit sicherzustellen
Der Siliziumsockel bietet eine stabile und äußerst hitzebeständige Stützplattform für das Siliziumschiffchen in der Hochtemperatur-Ofenkammer. Diese Stabilität kann wirksam verhindern, dass sich das Silikonschiffchen während der Verarbeitung verschiebt oder neigt, wodurch die Gleichmäßigkeit des Luftstroms oder die Zerstörung der Temperaturverteilung nicht beeinträchtigt wird und eine hohe Präzision und Konsistenz des Prozesses gewährleistet wird.
Verbessern Sie die Temperaturgleichmäßigkeit im Ofen und verbessern Sie die Waferqualität
Durch die Isolierung des Siliziumschiffchens vor direktem Kontakt mit dem Ofenboden oder der Ofenwand kann die Siliziumbasis den durch Wärmeleitung verursachten Wärmeverlust reduzieren und so eine gleichmäßigere Temperaturverteilung im thermischen Reaktionsrohr erreichen. Diese gleichmäßige thermische Umgebung ist wichtig, um eine gleichmäßige Waferdiffusion und Oxidschicht zu erreichen und die Gesamtqualität des Wafers erheblich zu verbessern.
Optimieren Sie die Wärmedämmleistung und senken Sie den Energieverbrauch
Die hervorragenden Wärmedämmeigenschaften des Silizium-Grundmaterials tragen dazu bei, den Wärmeverlust im Ofenraum zu reduzieren und so die Energieeffizienz des Prozesses deutlich zu verbessern. Dieser effiziente Wärmemanagementmechanismus beschleunigt nicht nur den Heiz- und Kühlzyklus, sondern reduziert auch den Energieverbrauch und die Betriebskosten und bietet so eine wirtschaftlichere Lösung für die Halbleiterfertigung.
Produktstruktur |
Integriert, Schweißen |
Leitfähiger Typ/Dotierung |
Brauch |
Widerstand |
Niedriger Widerstand (z. B. <0,015, <0,02...). ; |
Mäßiger Widerstand (z. B. 1–4); |
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Hoher Widerstand (z. B. 60–90); |
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Kundenspezifische Anpassung |
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Materialtyp |
Polykristall/Einkristall |
Kristallorientierung |
Maßgeschneidert |