Tantal-Karbid-Ring

Der Tantalcarbid (TaC)-Ring von VeTek Semiconductor verwendet hochwertiges Graphit als Kernmaterial und ist dank seiner einzigartigen Struktur in der Lage, seine Form und mechanischen Eigenschaften unter den extremen Bedingungen eines Kristallwachstumsofens beizubehalten. Die hohe Hitzebeständigkeit von Graphit verleiht ihm eine hervorragende Stabilität über die gesamte DauerKristallwachstumsprozess.

Die äußere Schicht des TaC-Rings ist mit a bedecktTantalkarbidbeschichtung, ein Material, das für seine extrem hohe Härte, seinen Schmelzpunkt von über 3880 °C und seine hervorragende Beständigkeit gegen chemische Korrosion bekannt ist und sich daher besonders für Betriebsumgebungen mit hohen Temperaturen eignet. Die Tantalcarbid-Beschichtung stellt eine starke Barriere dar, um heftige chemische Reaktionen wirksam zu verhindern und sicherzustellen, dass der Graphitkern nicht durch Hochtemperatur-Ofengase korrodiert.

WährendKristallwachstum von Siliziumkarbid (SiC).Stabile und gleichmäßige Wachstumsbedingungen sind der Schlüssel zur Gewährleistung hochwertiger Kristalle. Der Tantalkarbid-Beschichtungsring spielt eine entscheidende Rolle bei der Regulierung des Gasflusses und der Optimierung der Temperaturverteilung im Ofen. Als Gasführungsring sorgt der TaC-Ring für eine gleichmäßige Verteilung der Wärmeenergie und der Reaktionsgase und sorgt so für ein gleichmäßiges Wachstum und Stabilität der SiC-Kristalle.

Darüber hinaus ermöglicht die hohe Wärmeleitfähigkeit von Graphit in Kombination mit der Schutzwirkung von Tantalcarbide Coated, dass der TaC-Führungsring in der für das SiC-Kristallwachstum erforderlichen Hochtemperaturumgebung stabil funktioniert. Seine strukturelle Festigkeit und Dimensionsstabilität sind entscheidend für die Aufrechterhaltung der Bedingungen im Ofen, was sich direkt auf die Qualität der erzeugten Kristalle auswirkt. Durch die Reduzierung thermischer Schwankungen und chemischer Reaktionen im Ofen trägt der TaC-Beschichtungsring zur Erzeugung von Kristallen mit hervorragenden elektronischen Eigenschaften für Hochleistungshalbleiteranwendungen bei.

Der Tantalcarbidring von VeTek Semiconductor ist eine Schlüsselkomponente vonÖfen für die Kristallzüchtung von Siliziumkarbidund zeichnet sich durch hervorragende Haltbarkeit, thermische Stabilität und chemische Beständigkeit aus. Seine einzigartige Kombination aus Graphitkern und TaC-Beschichtung ermöglicht es ihm, die strukturelle Integrität und Funktionalität unter rauen Bedingungen aufrechtzuerhalten. Durch die präzise Steuerung der Temperatur und des Gasflusses im Ofen schafft der TaC-Beschichtungsring die notwendigen Voraussetzungen für die Produktion hochwertiger SiC-Kristalle, die für die Herstellung modernster Halbleiterkomponenten von entscheidender Bedeutung sind.

Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt：