Hochreiner CVD-SiC-Rohstoff

Hochreines CVD-SiC-Rohmaterial, das durch CVD hergestellt wird, ist das beste Ausgangsmaterial für das Siliziumkarbid-Kristallwachstum durch physikalischen Dampftransport. Die Dichte des von VeTek Semiconductor gelieferten hochreinen CVD-SiC-Rohmaterials ist höher als die von kleinen Partikeln, die durch Selbstentzündung von Si- und C-haltigen Gasen entstehen, und es erfordert keinen speziellen Sinterofen und weist eine nahezu konstante Verdampfungsrate auf. Es können SiC-Einkristalle von extrem hoher Qualität gezüchtet werden. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

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Produktbeschreibung

VeTek Semiconductor hat ein neues entwickeltSiC-Einkristall-Rohstoff- Hochreiner CVD-SiC-Rohstoff. Dieses Produkt füllt die inländische Lücke und ist auch weltweit führend und wird im Wettbewerb langfristig eine führende Position einnehmen. Herkömmliche Siliziumkarbid-Rohstoffe werden durch die Reaktion von hochreinem Silizium und hergestelltGraphit, die teuer, von geringer Reinheit und von geringer Größe sind.

Die Wirbelschichttechnologie von VeTek Semiconductor nutzt Methyltrichlorsilan, um durch chemische Gasphasenabscheidung Siliziumkarbid-Rohstoffe zu erzeugen. Das Hauptnebenprodukt ist Salzsäure. Salzsäure kann durch Neutralisation mit Alkali Salze bilden und verursacht keine Umweltverschmutzung. Gleichzeitig ist Methyltrichlorsilan ein weit verbreitetes Industriegas mit geringen Kosten und zahlreichen Quellen, insbesondere China ist der Hauptproduzent von Methyltrichlorsilan. Daher weist das hochreine CVD-SiC-Rohmaterial von VeTek Semiconductor hinsichtlich Kosten und Qualität eine international führende Wettbewerbsfähigkeit auf. Die Reinheit des hochreinen CVD-SiC-Rohmaterials ist höher als99,9995 %.

Vorteile des hochreinen CVD-SiC-Rohmaterials

High purity CVD SiC raw materials

● Große Größe und hohe Dichte

Die durchschnittliche Partikelgröße beträgt etwa 4–10 mm, und die Partikelgröße heimischer Acheson-Rohstoffe beträgt <2,5 mm. Der Tiegel mit dem gleichen Volumen kann mehr als 1,5 kg Rohstoffe aufnehmen, was dazu beiträgt, das Problem der unzureichenden Versorgung mit großformatigen Kristallwachstumsmaterialien zu lösen, die Graphitisierung der Rohstoffe zu lindern, die Kohlenstoffumhüllung zu reduzieren und die Kristallqualität zu verbessern.

●Niedriges Si/C-Verhältnis

Es liegt näher bei 1:1 als die Acheson-Rohstoffe der Selbstausbreitungsmethode, wodurch die durch den Anstieg des Si-Partialdrucks verursachten Defekte reduziert werden können.

●Hoher Ausgabewert

Die gewachsenen Rohstoffe behalten weiterhin den Prototyp bei, reduzieren die Rekristallisation, reduzieren die Graphitisierung der Rohstoffe, reduzieren Kohlenstoffumhüllungsfehler und verbessern die Qualität der Kristalle.

● Höhere Reinheit

Die Reinheit der mit der CVD-Methode hergestellten Rohstoffe ist höher als die der Acheson-Rohstoffe der Selbstvermehrungsmethode. Der Stickstoffgehalt hat ohne zusätzliche Reinigung 0,09 ppm erreicht. Auch im halbisolierenden Bereich kann dieser Rohstoff eine wichtige Rolle spielen.

● Niedrigere Kosten

Die gleichmäßige Verdampfungsrate erleichtert die Prozess- und Produktqualitätskontrolle und verbessert gleichzeitig die Ausnutzungsrate der Rohstoffe (Ausnutzungsrate > 50 %, 4,5 kg Rohstoffe ergeben 3,5 kg Barren), wodurch die Kosten gesenkt werden.

●Geringe menschliche Fehlerquote

Die chemische Gasphasenabscheidung vermeidet Verunreinigungen, die durch menschliche Eingriffe entstehen.

Hochreiner CVD-SiC-Rohstoff ist ein Produkt der neuen Generation, das als Ersatz verwendet wirdSiC-Pulver zur Züchtung von SiC-Einkristallen. Die Qualität der gezüchteten SiC-Einkristalle ist äußerst hoch. Derzeit beherrscht VeTek Semiconductor diese Technologie vollständig. Und es ist bereits in der Lage, dieses Produkt zu einem sehr vorteilhaften Preis auf den Markt zu bringen.

VeTek Semiconductor Shops für hochreine CVD-SiC-Rohstoffe:

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