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4H halbisolierendes SiC-Substrat

Vetek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant von halbisolierenden 4H-SiC-Substraten in China. Unser halbisolierendes SiC-Substrat vom Typ 4H wird häufig in Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen verwendet. Vetek Semiconductor ist bestrebt, fortschrittliche 4H-SiC-Produktlösungen vom halbisolierenden Typ für die Halbleiterindustrie bereitzustellen. Begrüßen Sie Ihre weiteren Anfragen.

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Waferträger mit SiC-Beschichtung

Als professioneller Hersteller und Lieferant von Waferträgern mit SiC-Beschichtung in China werden die Waferträger mit SiC-Beschichtung von Vetek Semiconductor hauptsächlich dazu verwendet, die Wachstumsgleichmäßigkeit der Epitaxieschicht zu verbessern und so deren Stabilität und Integrität bei hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen sicherzustellen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

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CVD-SiC-beschichtete Decke

Als professioneller Hersteller und Lieferant von CVD-SiC-beschichteten Decken in China verfügt die CVD-SiC-beschichtete Decke von VeTek Semiconductor über hervorragende Eigenschaften wie hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, hohe Härte und niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, was sie zu einer idealen Materialwahl in der Halbleiterfertigung macht. Wir freuen uns auf die weitere Zusammenarbeit mit Ihnen.

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ALD-Suszeptor mit SiC-Beschichtung

Als professioneller Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten ALD-Suszeptoren in China ist der SiC-beschichtete ALD-Suszeptor von VeTek Semiconductor eine Trägerkomponente, die speziell im Atomlagenabscheidungsprozess (ALD) verwendet wird. Es spielt eine Schlüsselrolle in der ALD-Ausrüstung und gewährleistet die Gleichmäßigkeit und Präzision des Abscheidungsprozesses. Wir glauben, dass unsere ALD Planetary Susceptor-Produkte Ihnen qualitativ hochwertige Produktlösungen bieten können.

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Poröses SiC-Keramikfutter

Vetek Semiconductor bietet poröse SiC-Keramik-Chucks an, die häufig in der Waferverarbeitungstechnologie, Transfer- und anderen Verbindungen eingesetzt werden und zum Bonden, Ritzen, Patchen, Polieren und anderen Verbindungen sowie der Laserbearbeitung geeignet sind. Unser poröses SiC-Keramikfutter verfügt über eine extrem starke Vakuumadsorption, hohe Ebenheit und hohe Reinheit und erfüllt die Anforderungen der meisten Halbleiterindustrien. Willkommen bei uns.

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Poröser Graphit mit SiC-Kristallwachstum

Als führender Hersteller von porösem Graphit mit SiC-Kristallwachstum und Marktführer in der chinesischen Halbleiterindustrie konzentriert sich VeTek Semiconductor seit vielen Jahren auf verschiedene Produkte aus porösem Graphit, wie Tiegel aus porösem Graphit, hochreiner poröser Graphit, poröser Graphit mit SiC-Kristallwachstum und poröser Graphit mit Die Investition und Forschung und Entwicklung von TaC Coated sowie unsere Produkte aus porösem Graphit haben bei europäischen und amerikanischen Kunden großes Lob erhalten. Wir freuen uns aufrichtig darauf, Ihr Partner in China zu werden.

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