China SiC-Epitaxieprozess Hersteller, Lieferant, Fabrik

Die einzigartigen Karbidbeschichtungen von VeTek Semiconductor bieten hervorragenden Schutz für Graphitteile im SiC-Epitaxieprozess für die Verarbeitung anspruchsvoller Halbleiter- und Verbundhalbleitermaterialien. Das Ergebnis ist eine längere Lebensdauer der Graphitkomponenten, die Erhaltung der Reaktionsstöchiometrie, die Hemmung der Verunreinigungsmigration zu Epitaxie- und Kristallwachstumsanwendungen, was zu einer höheren Ausbeute und Qualität führt.

Unsere Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen schützen kritische Ofen- und Reaktorkomponenten bei hohen Temperaturen (bis zu 2200 °C) vor heißem Ammoniak, Wasserstoff, Siliziumdämpfen und geschmolzenen Metallen. VeTek Semiconductor verfügt über eine breite Palette an Graphitverarbeitungs- und Messmöglichkeiten, um Ihre individuellen Anforderungen zu erfüllen. Daher können wir eine kostenpflichtige Beschichtung oder einen Komplettservice anbieten, wobei unser Team aus erfahrenen Ingenieuren bereit ist, die richtige Lösung für Sie und Ihre spezifische Anwendung zu entwickeln .

Verbundhalbleiterkristalle

VeTek Semiconductor kann spezielle TaC-Beschichtungen für verschiedene Komponenten und Träger bereitstellen. Durch den branchenführenden Beschichtungsprozess von VeTek Semiconductor kann die TaC-Beschichtung eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Beständigkeit erreichen, wodurch die Produktqualität der kristallinen TaC/GaN- und EPl-Schichten verbessert und die Lebensdauer kritischer Reaktorkomponenten verlängert wird.

Wärmeisolatoren

SiC-, GaN- und AlN-Kristallwachstumskomponenten, einschließlich Tiegel, Keimhalter, Deflektoren und Filter. Industrielle Baugruppen, einschließlich Widerstandsheizelemente, Düsen, Abschirmringe und Lötvorrichtungen, GaN- und SiC-Epitaxie-CVD-Reaktorkomponenten, einschließlich Waferträger, Satellitenschalen, Duschköpfe, Kappen und Sockel, MOCVD-Komponenten.

Zweck:

LED-Waferträger (Leuchtdiode).

ALD-Empfänger (Halbleiter).

EPI-Rezeptor (SiC-Epitaxieprozess)

TaC-beschichteter Satellitensuszeptor Suszeptor und Ring mit TaC-Beschichtung Teile mit TaC-Beschichtung Halbmondteile mit TaC-Beschichtung

Vergleich von SiC-Beschichtung und TaC-Beschichtung:

	SiC	TaC
Haupteigenschaften	Ultrahohe Reinheit, ausgezeichnete Plasmabeständigkeit	Hervorragende Hochtemperaturstabilität (Hochtemperatur-Prozesskonformität)
Reinheit	>99,9999 %	>99,9999 %
Dichte (g/cm 3)	3.21	15
Härte (kg/mm 2)	2900-3300	6.7-7.2
Spezifischer Widerstand [Ωcm]	0,1-15.000	<1
Wärmeleitfähigkeit (W/m-K)	200-360	22
Wärmeausdehnungskoeffizient (10-6/℃)	4,5-5	6.3
Anwendung	Halbleiterausrüstung Keramikvorrichtung (Fokusring, Duschkopf, Dummy-Wafer)	SiC-Einkristallwachstum, Epi, UV-LED-Geräteteile

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CVD-TaC-Beschichtungsträger

Der CVD-TaC-Beschichtungsträger von VeTek Semiconductor ist hauptsächlich für den epitaktischen Prozess der Halbleiterherstellung konzipiert. Der ultrahohe Schmelzpunkt, die hervorragende Korrosionsbeständigkeit und die hervorragende thermische Stabilität des CVD-TaC-Beschichtungsträgers machen dieses Produkt für den Halbleiter-Epitaxieprozess unverzichtbar. Wir hoffen aufrichtig, eine langfristige Geschäftsbeziehung mit Ihnen aufzubauen.

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TaC-Beschichtungsführungsring

Der TaC-Beschichtungsführungsring von VeTek Semiconductor wird durch Aufbringen einer Tantalkarbidbeschichtung auf Graphitteile mithilfe einer hochentwickelten Technik namens chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) hergestellt. Dieses Verfahren ist bewährt und bietet außergewöhnliche Beschichtungseigenschaften. Durch die Verwendung des Führungsrings mit TaC-Beschichtung kann die Lebensdauer von Graphitkomponenten erheblich verlängert, die Bewegung von Graphitverunreinigungen unterdrückt und die Qualität der SiC- und AIN-Einkristalle zuverlässig aufrechterhalten werden. Willkommen bei uns.

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TaC-beschichteter Graphit-Suszeptor

Der TaC-beschichtete Graphit-Suszeptor von VeTek Semiconductor nutzt das chemische Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD), um eine Tantalcarbid-Beschichtung auf der Oberfläche von Graphitteilen herzustellen. Dieses Verfahren ist das ausgereifteste und weist die besten Beschichtungseigenschaften auf. TaC-beschichteter Graphitsuszeptor kann die Lebensdauer von Graphitkomponenten verlängern, die Migration von Graphitverunreinigungen hemmen und die Qualität der Epitaxie sicherstellen. VeTek Semiconductor freut sich auf Ihre Anfrage.

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TaC-Beschichtungssuszeptor

VeTek Semiconductor präsentiert den TaC Coating Susceptor. Mit seiner außergewöhnlichen TaC-Beschichtung bietet dieser Suszeptor eine Vielzahl von Vorteilen, die ihn von herkömmlichen Lösungen unterscheiden. Der TaC Coating Susceptor von VeTek Semiconductor lässt sich nahtlos in bestehende Systeme integrieren und garantiert Kompatibilität und effizienten Betrieb. Seine zuverlässige Leistung und die hochwertige TaC-Beschichtung liefern konstant außergewöhnliche Ergebnisse bei SiC-Epitaxieprozessen. Wir sind bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.

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Rotationsplatte mit TaC-Beschichtung

Die TaC-Beschichtungs-Rotationsplatte von VeTek Semiconductor verfügt über eine hervorragende TaC-Beschichtung. Mit ihrer außergewöhnlichen TaC-Beschichtung verfügt die TaC-Beschichtungs-Rotationsplatte über eine bemerkenswerte Hochtemperaturbeständigkeit und chemische Inertheit, die sie von herkömmlichen Lösungen unterscheidet. Wir sind bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten Preise und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.

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TaC-Beschichtungsplatte

Die TaC-Beschichtungsplatte von VeTek Semiconductor ist ein bemerkenswertes Produkt, das außergewöhnliche Funktionen und Vorteile bietet. Unsere mit Präzision entworfene und perfekt konstruierte TaC-Beschichtungsplatte ist speziell auf verschiedene Anwendungen in Siliziumkarbid (SiC)-Einkristallwachstumsprozessen zugeschnitten. Die präzisen Abmessungen und die robuste Konstruktion der TaC-Beschichtungsplatte erleichtern die Integration in bestehende Systeme und gewährleisten nahtlose Kompatibilität und effizienten Betrieb. Seine zuverlässige Leistung und hochwertige Beschichtung tragen zu konsistenten und gleichmäßigen Ergebnissen bei SiC-Kristallwachstumsanwendungen bei. Wir sind bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten und freuen uns darauf, Ihr langfristiger ......

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Als professioneller SiC-Epitaxieprozess Hersteller und Lieferant in China verfügen wir über eine eigene Fabrik. Egal, ob Sie maßgeschneiderte Dienstleistungen benötigen, um den spezifischen Anforderungen Ihrer Region gerecht zu werden, oder fortschrittliche und langlebige Produkte aus China kaufen möchten, Sie können uns eine Nachricht hinterlassen.