GaN auf SiC-Epi-Akzeptor

Als ProfiHalbleiterherstellerin China,VeTek Semiconductor GaN auf SiC-Epi-Akzeptorist eine Schlüsselkomponente im Vorbereitungsprozess vonGaN auf SiCGeräteund seine Leistung wirkt sich direkt auf die Qualität der Epitaxieschicht aus. Mit der weit verbreiteten Anwendung von GaN auf SiC-Geräten in der Leistungselektronik, HF-Geräten und anderen Bereichen steigen die Anforderungen anSiC-Epi-Empfängerwird immer höher. VeTek Semiconductor konzentriert sich auf die Bereitstellung der ultimativen Technologie- und Produktlösungen für die Halbleiterindustrie und freut sich über Ihre Beratung.

Im Allgemeinen sind die Rollen von GaN auf dem SiC-Epi-Suszeptor bei der Halbleiterverarbeitung wie folgt:

● Hochtemperaturverarbeitungsfähigkeit: GaN auf SiC-Epi-Suszeptor (GaN auf Basis einer epitaktischen Wachstumsscheibe aus Siliziumkarbid) wird hauptsächlich im epitaktischen Wachstumsprozess von Galliumnitrid (GaN) verwendet, insbesondere in Umgebungen mit hohen Temperaturen. Diese Epitaxie-Wachstumsscheibe hält extrem hohen Verarbeitungstemperaturen stand, üblicherweise zwischen 1000 °C und 1500 °C, wodurch sie für das epitaktische Wachstum von GaN-Materialien und die Verarbeitung von Siliziumkarbid (SiC)-Substraten geeignet ist.

●  Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Der SiC-Epi-Suszeptor muss über eine gute Wärmeleitfähigkeit verfügen, um die von der Heizquelle erzeugte Wärme gleichmäßig auf das SiC-Substrat zu übertragen und so eine Temperaturgleichmäßigkeit während des Wachstumsprozesses sicherzustellen. Siliziumkarbid hat eine extrem hohe Wärmeleitfähigkeit (ca. 120–150 W/mK), und der GaN-auf-SiC-Epitaxie-Suszeptor kann Wärme effektiver leiten als herkömmliche Materialien wie Silizium. Dieses Merkmal ist im epitaktischen Wachstumsprozess von Galliumnitrid von entscheidender Bedeutung, da es dazu beiträgt, die Temperaturgleichmäßigkeit des Substrats aufrechtzuerhalten und dadurch die Qualität und Konsistenz des Films zu verbessern.

●  Umweltverschmutzung verhindern: Die Materialien und der Oberflächenbehandlungsprozess des GaN-auf-SiC-Epi-Suszeptors müssen in der Lage sein, eine Verschmutzung der Wachstumsumgebung und das Einbringen von Verunreinigungen in die Epitaxieschicht zu verhindern.

Als professioneller Hersteller vonGaN auf SiC-Epi-Akzeptor, Poröser GraphitUndTaC-BeschichtungsplatteIn China besteht VeTek Semiconductor stets auf der Bereitstellung maßgeschneiderter Produktdienstleistungen und ist bestrebt, der Branche erstklassige Technologie- und Produktlösungen anzubieten. Wir freuen uns sehr auf Ihre Beratung und Zusammenarbeit.

CVD-SIC-BESCHICHTUNGSFILM-KRISTALLSTRUKTUR

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung

VeTek Semiconductor GaN-auf-SiC-Epi-Suszeptor-Produktionsstätten