Die Vorbereitung einer hochwertigen Siliziumkarbid-Epitaxie hängt von fortschrittlicher Technologie sowie Ausrüstung und Ausrüstungszubehör ab. Die derzeit am weitesten verbreitete Epitaxie-Wachstumsmethode für Siliziumkarbid ist die chemische Gasphasenabscheidung (CVD). Es bietet die Vorteile einer präzisen Steuerung der Epitaxiefilmdicke und der Dotierungskonzentration, weniger Defekte, einer moderaten Wachstumsrate, einer automatischen Prozesssteuerung usw. und ist eine zuverlässige Technologie, die erfolgreich kommerziell eingesetzt wird.
Bei der Siliziumkarbid-CVD-Epitaxie werden im Allgemeinen Heißwand- oder Warmwand-CVD-Geräte verwendet, die die Fortsetzung der Epitaxieschicht aus kristallinem 4H-SiC unter Bedingungen hoher Wachstumstemperatur (1500 bis 1700 °C), Heißwand- oder Warmwand-CVD nach Jahren der Entwicklung gewährleisten, so die Beziehung zwischen der Richtung des Einlassluftstroms und der Substratoberfläche. Die Reaktionskammer kann in Reaktoren mit horizontaler Struktur und Reaktoren mit vertikaler Struktur unterteilt werden.
Es gibt drei Hauptindikatoren für die Qualität des SIC-Epitaxieofens: Der erste ist die Leistung des epitaktischen Wachstums, einschließlich der Gleichmäßigkeit der Dicke, der Gleichmäßigkeit der Dotierung, der Defektrate und der Wachstumsrate. Das zweite ist die Temperaturleistung des Geräts selbst, einschließlich Heiz-/Kühlrate, Maximaltemperatur, Temperaturgleichmäßigkeit; Schließlich die Kostenleistung der Ausrüstung selbst, einschließlich Preis und Kapazität einer einzelnen Einheit.
Heißwand-Horizontal-CVD (typisches Modell PE1O6 der Firma LPE), Warmwand-Planeten-CVD (typisches Modell Aixtron G5WWC/G10) und Quasi-Heißwand-CVD (vertreten durch EPIREVOS6 der Firma Nuflare) sind die gängigen technischen Lösungen für Epitaxieanlagen, die realisiert wurden in kommerziellen Anwendungen in diesem Stadium. Auch die drei technischen Geräte haben ihre eigenen Eigenschaften und können je nach Bedarf ausgewählt werden. Ihr Aufbau stellt sich wie folgt dar:
Die entsprechenden Kernkomponenten sind wie folgt:
(a) Kernteil vom horizontalen Typ mit heißer Wand – Halbmondteile bestehen aus
Nachgeschaltete Isolierung
Obermaterial mit Hauptisolierung
Oberer Halbmond
Vorgeschaltete Isolierung
Übergangsstück 2
Übergangsstück 1
Externe Luftdüse
Konischer Schnorchel
Äußere Argongasdüse
Argon-Gasdüse
Wafer-Trägerplatte
Zentrierstift
Zentrale Wache
Nachgeschaltete linke Schutzabdeckung
Nachgeschaltete rechte Schutzabdeckung
Schutzabdeckung vorn links
Vorgelagerte rechte Schutzabdeckung
Seitenwand
Graphitring
Schutzfilz
Unterstützender Filz
Kontaktblock
Gasauslassflasche
(b)Warmwand-Planetentyp
Planetenscheibe mit SiC-Beschichtung und Planetenscheibe mit TaC-Beschichtung
(c) Quasi-thermischer Wandaufstellungstyp
Nuflare (Japan): Dieses Unternehmen bietet Zweikammer-Vertikalöfen an, die zu einer höheren Produktionsausbeute beitragen. Die Ausrüstung verfügt über eine Hochgeschwindigkeitsrotation von bis zu 1000 Umdrehungen pro Minute, was sich äußerst positiv auf die Gleichmäßigkeit der Epitaxie auswirkt. Darüber hinaus ist die Luftströmungsrichtung anders als bei anderen Geräten und verläuft vertikal nach unten, wodurch die Bildung von Partikeln minimiert und die Wahrscheinlichkeit verringert wird, dass Partikeltröpfchen auf die Wafer fallen. Für diese Ausrüstung bieten wir Kernkomponenten aus SiC-beschichtetem Graphit an.
Als Lieferant von SiC-Epitaxie-Ausrüstungskomponenten ist VeTek Semiconductor bestrebt, seinen Kunden hochwertige Beschichtungskomponenten zur Verfügung zu stellen, um die erfolgreiche Implementierung der SiC-Epitaxie zu unterstützen.
Die CVD-SiC-Beschichtungsdüsen von Vetek Semiconductor sind entscheidende Komponenten, die im LPE-SiC-Epitaxieprozess zur Abscheidung von Siliziumkarbidmaterialien während der Halbleiterherstellung verwendet werden. Diese Düsen bestehen typischerweise aus hochtemperaturbeständigem und chemisch stabilem Siliziumkarbidmaterial, um Stabilität in rauen Verarbeitungsumgebungen zu gewährleisten. Sie sind für eine gleichmäßige Abscheidung konzipiert und spielen eine Schlüsselrolle bei der Kontrolle der Qualität und Gleichmäßigkeit von Epitaxieschichten in Halbleiteranwendungen. Wir freuen uns auf eine langfristige Zusammenarbeit mit Ihnen.
WeiterlesenAnfrage absendenVetek Semiconductor bietet CVD-SiC-Beschichtungsschutz an, der für LPE-SiC-Epitaxie verwendet wird. Der Begriff „LPE“ bezieht sich normalerweise auf Niederdruckepitaxie (LPE) bei der chemischen Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck (LPCVD). In der Halbleiterfertigung ist LPE eine wichtige Prozesstechnologie zum Züchten einkristalliner Dünnfilme, die häufig zum Züchten von Silizium-Epitaxieschichten oder anderen Halbleiter-Epitaxieschichten verwendet wird. Bei weiteren Fragen können Sie sich gerne an uns wenden.
WeiterlesenAnfrage absendenVetek Semiconductor ist professionell in der Herstellung von CVD-SiC-Beschichtungen und TaC-Beschichtungen auf Graphit- und Siliziumkarbidmaterialien. Wir bieten OEM- und ODM-Produkte wie SiC-beschichtete Sockel, Wafer-Träger, Wafer-Chuck, Wafer-Trägertabletts, Planetenscheiben usw. an. Mit Reinraum- und Reinigungsgeräten der Güteklasse 1000 können wir Ihnen Produkte mit Verunreinigungen unter 5 ppm liefern. Wir freuen uns auf Ihre Nachricht bald von Dir.
WeiterlesenAnfrage absendenVetek Semiconductor zeichnet sich durch die enge Zusammenarbeit mit Kunden aus, um maßgeschneiderte Designs für SiC-Beschichtungs-Einlassringe zu erstellen, die auf spezifische Anforderungen zugeschnitten sind. Diese Einlassringe mit SiC-Beschichtung werden sorgfältig für verschiedene Anwendungen wie CVD-SiC-Geräte und Siliziumkarbid-Epitaxie entwickelt. Für maßgeschneiderte Einlassringlösungen mit SiC-Beschichtung wenden Sie sich bitte an Vetek Semiconductor, um individuelle Unterstützung zu erhalten.
WeiterlesenAnfrage absendenVeTek Semiconductor ist ein innovativer Hersteller von SiC-Beschichtungen in China. Der von VeTek Semiconductor bereitgestellte Vorheizring ist für den Epitaxieprozess konzipiert. Die gleichmäßige Siliziumkarbidbeschichtung und das hochwertige Graphitmaterial als Rohstoffe sorgen für eine gleichmäßige Abscheidung und verbessern die Qualität und Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht. Wir freuen uns auf eine langfristige Zusammenarbeit mit Ihnen.
WeiterlesenAnfrage absendenVeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von EPI-Wafer-Lift-Pins in China. Wir sind seit vielen Jahren auf die SiC-Beschichtung von Graphitoberflächen spezialisiert. Wir bieten einen EPI Wafer Lift Pin für den Epi-Prozess an. Mit hoher Qualität und wettbewerbsfähigen Preisen heißen wir Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik in China zu besuchen.
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