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Tantalcarbid-Beschichtungsunterstützung
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Tantalcarbid-Beschichtungsunterstützung

Als professioneller Hersteller und Hersteller von Tantalcarbid-Beschichtungsunterstützungsprodukten in China wird VeTek Semiconductor Tantalum Carbide Coating Support normalerweise für die Oberflächenbeschichtung von Strukturkomponenten oder Stützkomponenten in Halbleitergeräten verwendet, insbesondere für den Oberflächenschutz wichtiger Gerätekomponenten in Halbleiterherstellungsprozessen wie z CVD und PVD. Begrüßen Sie Ihre weitere Beratung.

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Produktbeschreibung

Die Hauptfunktion von VeTek SemiconductorTantalcarbid (TaC)-BeschichtungUnterstützung soll die verbessernHitzebeständigkeit, Verschleißfestigkeit und Korrosionsbeständigkeitdes Substrats durch Auftragen einer Tantalkarbid-Beschichtung, um die Genauigkeit und Zuverlässigkeit des Prozesses zu verbessern und die Lebensdauer der Komponenten zu verlängern. Es handelt sich um ein Hochleistungsbeschichtungsprodukt, das im Bereich der Halbleiterverarbeitung eingesetzt wird.


Der Tantalcarbid-Beschichtungsträger von VeTek Semiconductor hat eine Mohs-Härte von fast 9 bis 10 und liegt damit nach Diamant an zweiter Stelle. Es verfügt über eine extrem hohe Verschleißfestigkeit und kann Oberflächenverschleiß und Stößen während der Verarbeitung wirksam widerstehen, wodurch die Lebensdauer von Gerätekomponenten effektiv verlängert wird. In Kombination mit seinem hohen Schmelzpunkt von etwa 3880 °C wird es häufig zum Beschichten von Schlüsselkomponenten von Halbleitergeräten verwendet, wie z. B. Oberflächenbeschichtungen von Stützstrukturen, Wärmebehandlungsgeräten, Kammern oder Dichtungen in Halbleitergeräten, um deren Verschleißfestigkeit und hohe Temperaturbeständigkeit zu verbessern Widerstand.


Aufgrund des extrem hohen Schmelzpunkts von Tantalcarbid von etwa 3880 °C kann es in Halbleiterverarbeitungsprozessen wie zchemische Gasphasenabscheidung (CVD)Undphysikalische Gasphasenabscheidung (PVD)Eine TaC-Beschichtung mit starker Hochtemperaturbeständigkeit und chemischer Korrosionsbeständigkeit kann Gerätekomponenten wirksam schützen und Korrosion oder Schäden am Substrat in extremen Umgebungen verhindern und bietet so einen wirksamen Schutz für Hochtemperaturumgebungen bei der Waferherstellung. Diese Eigenschaft bestimmt auch, dass der Tantalcarbid-Beschichtungsträger von VeTek Semiconductor häufig bei Ätz- und Korrosionsprozessen verwendet wird.


Der Tantalcarbid-Beschichtungsträger hat auch die Funktion, die Partikelverunreinigung zu reduzieren. Während der Waferverarbeitung führt der Oberflächenverschleiß in der Regel zu Partikelverunreinigungen, die die Produktqualität des Wafers beeinträchtigen. Die extremen Produkteigenschaften von TaC Coating mit einer Mohs-Härte von nahezu 9–10 können diesen Verschleiß effektiv reduzieren und dadurch die Bildung von Partikeln reduzieren. In Kombination mit der hervorragenden Wärmeleitfähigkeit der TaC-Beschichtung (ca. 21 W/m·K) kann eine gute Wärmeleitfähigkeit unter Hochtemperaturbedingungen aufrechterhalten werden, wodurch die Ausbeute und Konsistenz der Waferherstellung erheblich verbessert wird.


Zu den wichtigsten TaC-Beschichtungsprodukten von VeTek Semiconductor gehören:TaC-Beschichtungsheizung, CVD-TaC-Beschichtungstiegel, Rotationssuszeptor mit TaC-BeschichtungUndErsatzteil für TaC-Beschichtungusw. und unterstützen maßgeschneiderte Produktdienstleistungen. VeTek Semiconductor ist bestrebt, hervorragende Produkte und technische Lösungen für die Halbleiterindustrie bereitzustellen. Wir hoffen aufrichtig, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.


Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-TaC-Beschichtung


Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte
14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad
0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient
6,3*10-6/K
Härte (HK)
2000HK
Widerstand
1×10-5Ohm*cm
Thermische Stabilität
<2500℃
Graphitgrößenänderungen
-10~-20um
Beschichtungsdicke
≥20um typischer Wert (35um±10um)

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