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China Siliziumkarbidbeschichtung Hersteller, Lieferant, Fabrik

VeTek Semiconductor ist auf die Herstellung hochreiner Siliziumkarbid-Beschichtungsprodukte spezialisiert. Diese Beschichtungen sind für die Anwendung auf gereinigtem Graphit, Keramik und hochschmelzenden Metallkomponenten konzipiert.

Unsere hochreinen Beschichtungen sind vor allem für den Einsatz in der Halbleiter- und Elektronikindustrie bestimmt. Sie dienen als Schutzschicht für Waferträger, Suszeptoren und Heizelemente und schützen sie vor korrosiven und reaktiven Umgebungen, die bei Prozessen wie MOCVD und EPI auftreten. Diese Prozesse sind integraler Bestandteil der Waferverarbeitung und Geräteherstellung. Darüber hinaus eignen sich unsere Beschichtungen gut für Anwendungen in Vakuumöfen und zur Probenerwärmung, wo Hochvakuum, reaktive und Sauerstoffumgebungen herrschen.

Bei VeTek Semiconductor bieten wir mit unseren fortschrittlichen Werkstattkapazitäten eine umfassende Lösung. Dadurch ist es uns möglich, die Basiskomponenten aus Graphit, Keramik oder Refraktärmetallen herzustellen und die SiC- oder TaC-Keramikbeschichtungen im eigenen Haus aufzubringen. Wir bieten auch Beschichtungsdienste für vom Kunden bereitgestellte Teile an und gewährleisten so die Flexibilität, unterschiedlichen Anforderungen gerecht zu werden.

Unsere Siliziumkarbid-Beschichtungsprodukte werden häufig in der Si-Epitaxie, SiC-Epitaxie, im MOCVD-System, im RTP/RTA-Prozess, im Ätzprozess, im ICP/PSS-Ätzprozess und im Prozess verschiedener LED-Typen, einschließlich blauer und grüner LED, UV-LED und tiefem UV, eingesetzt LED usw., die an Geräte von LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI usw. angepasst sind.

Reaktorteile, die wir herstellen können:

Die Siliziumkarbidbeschichtung bietet mehrere einzigartige Vorteile:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

VeTek Semiconductor Siliziumkarbid-Beschichtungsparameter

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte der SiC-Beschichtung	3,21 g/cm³
SiC-Beschichtung. Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg^-1·K^-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m^-1·K^-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K^-1

CVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Mit Siliziumkarbid beschichteter Epi-Suszeptor Waferträger mit SiC-Beschichtung SiC-beschichtete Satellitenabdeckung für MOCVD CVD-SiC-Beschichtungswafer-Epi-Suszeptor Heizelement mit CVD-SiC-Beschichtung Aixtron Satellite Wafer-Träger Epi-Empfänger mit SiC-Beschichtung Halbmondförmige Graphitteile mit SiC-Beschichtung

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SiC-beschichteter Träger für LPE PE2061S

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Trägern für LPE PE2061S in China. SiC-beschichteter Träger für LPE PE2061S ist für LPE-Silizium-Epitaxiereaktoren geeignet. Als Boden des Fassbodens hält der SiC-beschichtete Support für LPE PE2061S hohen Temperaturen von 1600 Grad Celsius stand, wodurch eine extrem lange Produktlebensdauer erreicht und die Kundenkosten gesenkt werden. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage und weitere Kommunikation.

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SiC-beschichtete Deckplatte für LPE PE2061S

VeTek Semiconductor beschäftigt sich seit vielen Jahren intensiv mit SiC-Beschichtungsprodukten und hat sich zu einem führenden Hersteller und Lieferanten von SiC-beschichteten Deckplatten für LPE PE2061S in China entwickelt. Die von uns bereitgestellte SiC-beschichtete Deckplatte für LPE PE2061S ist für LPE-Silizium-Epitaxie-Reaktoren konzipiert und befindet sich oben zusammen mit der Zylinderbasis. Diese mit SiC beschichtete Deckplatte für LPE PE2061S verfügt über hervorragende Eigenschaften wie hohe Reinheit, hervorragende thermische Stabilität und Gleichmäßigkeit, was das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten unterstützt. Egal welches Produkt Sie benötigen, wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

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SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für LPE PE2061S

Als eine der führenden Wafer-Suszeptor-Produktionsstätten in China hat VeTek Semiconductor bei Wafer-Suszeptor-Produkten kontinuierlich Fortschritte gemacht und ist für viele Epitaxie-Wafer-Hersteller zur ersten Wahl geworden. Der von VeTek Semiconductor bereitgestellte SiC-beschichtete Zylindersuszeptor für LPE PE2061S ist für LPE PE2061S 4-Zoll-Wafer konzipiert. Der Suszeptor verfügt über eine haltbare Siliziumkarbidbeschichtung, die die Leistung und Haltbarkeit während des LPE-Prozesses (Flüssigphasenepitaxie) verbessert. Wir freuen uns über Ihre Anfrage und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

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Massiver SiC-Gasduschkopf

Der feste SiC-Gasduschkopf spielt eine wichtige Rolle bei der Gleichmäßigkeit des Gases im CVD-Prozess und sorgt so für eine gleichmäßige Erwärmung des Substrats. VeTek Semiconductor engagiert sich seit vielen Jahren intensiv im Bereich der Solid-SiC-Geräte und ist in der Lage, seinen Kunden maßgeschneiderte Solid-SiC-Gasduschköpfe anzubieten. Ganz gleich, welche Anforderungen Sie haben, wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

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Chemischer Gasphasenabscheidungsprozess, fester SiC-Kantenring

VeTek Semiconductor engagiert sich seit jeher für die Forschung, Entwicklung und Herstellung fortschrittlicher Halbleitermaterialien. Heute hat VeTek Semiconductor große Fortschritte bei Produkten mit massiven SiC-Kantenringen gemacht und ist in der Lage, seinen Kunden hochgradig maßgeschneiderte massive SiC-Kantenringe anzubieten. Massive SiC-Kantenringe sorgen bei Verwendung mit einem elektrostatischen Spannfutter für eine bessere Ätzgleichmäßigkeit und eine präzise Waferpositionierung und sorgen so für konsistente und zuverlässige Ätzergebnisse. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage und darauf, langfristige Partner füreinander zu werden.

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Fokussierring aus massivem SiC-Ätzverfahren

Der solide SiC-Ätzfokussierungsring ist eine der Kernkomponenten des Wafer-Ätzprozesses, der eine Rolle bei der Fixierung des Wafers, der Fokussierung des Plasmas und der Verbesserung der Gleichmäßigkeit des Wafer-Ätzens spielt. Als führender Hersteller von SiC-Fokussierungsringen in China verfügt VeTek Semiconductor über fortschrittliche Technologie und ausgereifte Prozesse und stellt solide SiC-Ätz-Fokussierungsringe her, die die Bedürfnisse der Endkunden gemäß den Kundenanforderungen vollständig erfüllen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage und auf eine langfristige Partnerschaft.

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Als professioneller Siliziumkarbidbeschichtung Hersteller und Lieferant in China verfügen wir über eine eigene Fabrik. Egal, ob Sie maßgeschneiderte Dienstleistungen benötigen, um den spezifischen Anforderungen Ihrer Region gerecht zu werden, oder fortschrittliche und langlebige Produkte aus China kaufen möchten, Sie können uns eine Nachricht hinterlassen.